Aparelho de Quartzo Quartzo Fundido Transportador de Bolacha de Semicondutor Ultra Fino

Lugar de origem Shandong
Marca ZKTD
Certificação SGS,ISO
Número do modelo OEM
Quantidade de ordem mínima 1 PCS
Preço USD 50-150 /Pcs
Detalhes da embalagem Caixa de madeira, caixas
Tempo de entrega 5-8 dias úteis
Termos de pagamento L/C,T/T
Habilidade da fonte 100000 PCes/semana

Contacte-me para amostras grátis e vales.

whatsapp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Se você tem algum interesse, nós fornecemos a ajuda online de 24 horas.

x
Detalhes do produto
Tamanho OEM MOQ 1pcs
Nome Carregador de wafer semicondutor
Destacar

portador da bolacha de semicondutor de quartzo fundido

,

portador ultra fino da bolacha de semicondutor

,

portador ultra fino da bolacha de silicone do semicondutor

Deixe um recado
Descrição de produto

Aparelho de Quartzo Quartzo Fundido Transportador de Bolacha de Semicondutor Ultra Fino


Características dos produtos:

Claro e limpo,

Alta homogeneidade

Resistente a altas temperaturas

Alta transmissão de luz

Anti ataque químico


Temperatura de trabalho:

Temperatura de trabalho regular: 1000°C

Temperatura de trabalho para curto prazo: 1100°C

Temperatura máxima de trabalho instantâneo: 1300°C


Propriedade Mecânica:

Propriedade Mecânica Valor de Referência Propriedade Mecânica Valor de Referência
Densidade 2.203g/cm3 Índice de Refração 1.45845
Resistência à Compressão >1100Mpa Coeficiente de expansão térmica 5.5×10-7cm/cm.°C
Resistência à Flexão 67Mpa Temperatura de trabalho a quente 1750~2050°C
Resistência à Tração 48.3Mpa A temperatura por um curto período de tempo 1300°C
Relação de Poisson 0.14~0.17 A temperatura por um longo período de tempo 1100°C
Módulo de Elasticidade 71700Mpa Resistividade 7×107Ω.cm
Módulo de Cisalhamento 31000Mpa Rigidez Dielétrica 250~400Kv/cm
Dureza Moths 5.3~6.5(Escala Moths) Constante Dielétrica 3.7~3.9
Ponto de Deformação 1280°C Coeficiente de absorção dielétrica <4×104
Calor Específico (20~350°C) 670J/kg °C Coeficiente de perda dielétrica <1×104
Condutividade Térmica (20°C) 1.4W/m °C


Aparelho de Quartzo Quartzo Fundido Transportador de Bolacha de Semicondutor Ultra Fino 0

Aparelho de Quartzo Quartzo Fundido Transportador de Bolacha de Semicondutor Ultra Fino 1