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Portador da bolacha de semicondutor de quartzo fundido ultra fino

  • Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
  • Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
Lugar de origem China
Marca zcq
Certificação SGS,ISO
Número do modelo ZCQ
Quantidade de ordem mínima 1
Preço USD 50-150 PCS
Detalhes da embalagem Caixa de madeira
Tempo de entrega 5-8 semana
Termos de pagamento L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte 100000pcs pelo dia

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Detalhes do produto
Material Quartzo fundido Tamanho OEM
Tolerância ±0.1 MOQ 1pcs
Forma Personalizado Nome Portador da bolacha de semicondutor
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Descrição de produto

Portador da bolacha de semicondutor de quartzo fundido ultra fino

Nós somos especializados na pesquisa, na fabricação e nas vendas de produtos de quartzo.
Os produtos principais são: cadinho de quartzo, tubo de vidro de quartzo transparente, tubo da difusão do vidro de quartzo, tubo de vidro de moedura de quartzo da boca, placa de vidro de quartzo, barco de quartzo, mercadorias de quartzo, monte de quartzo, haste de quartzo, material de construção leve, dispositivo médico, instrumentos científicos, etc.
Nós lembramo-nos sempre que o “cliente é o centro, qualidade somos a chave”. Nós faremos nossos esforços de 100% para fazer nossos clientes satisfeitos!

 

Características de produtos:

Claro e limpo,

Homogeneidade alta

Resistente de alta temperatura

Transmissão clara alta

Anti ataque da química

 

Temperatura de trabalho:

Temperatura de trabalho regular: °C 1000

Temperatura de trabalho para a curto prazo: 1100°C

temperatura máxima de trabalho imediata: 1300°C

 

Propriedade mecânica:

Propriedade mecânica Valor de referência Propriedade mecânica Valor de referência
Densidade 2.203g/cm3 R.I. 1,45845
Força compressiva >1100Mpa Coeficiente da expansão térmica 5.5×10-7cm/cm.°C
Força de dobra 67Mpa Temperatura quente do trabalho 1750~2050°C
Resistência à tração 48.3Mpa A temperatura por um curto período de tempo °C 1300
A relação de Poisson 0.14~0.17 A temperatura por muito tempo °C 1100
Módulo elástico 71700Mpa Resistividade 7×107Ω.cm
Módulo de corte 31000Mpa Força dielétrica 250~400Kv/cm
Dureza das traças 5.3~6.5 (escala das traças) Constante dielétrica 3.7~3.9
Ponto da deformação °C 1280 Coeficiente de absorção dielétrica <4>
Calor específico (20~350°C) °C 670J/kg Coeficiente de perda dielétrica <1>
Condutibilidade térmica (°C) 20 °C de 1.4W/m  


Portador da bolacha de semicondutor de quartzo fundido ultra fino 0

Etiquetas:

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