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Aparelho de Quartzo Quartzo Fundido Transportador de Bolacha de Semicondutor Ultra Fino
| Lugar de origem | Shandong |
|---|---|
| Marca | ZKTD |
| Certificação | SGS, ISO |
| Número do modelo | OEM |
| Quantidade de ordem mínima | 1 PCS |
| Preço | USD 50-150 /Pcs |
| Detalhes da embalagem | Caixa de madeira, caixas, algodão pérola |
| Tempo de entrega | 5-8 dias úteis |
| Termos de pagamento | L/C,T/T |
| Habilidade da fonte | 100 peças / semana |
Detalhes do produto
| Tamanho | OEM | Quantidade mínima | 1 unidade |
|---|---|---|---|
| Nome | Carregador de wafer semicondutor | ||
| Destacar | portador da bolacha de semicondutor de quartzo fundido,portador ultra fino da bolacha de semicondutor,portador ultra fino da bolacha de silicone do semicondutor |
||
Descrição de produto
Aparelho de Quartz Fusão Quartz Semicondutor Wafer Carrier Ultra Thin
Características dos produtos:
Limpa e limpa.
Alta homogeneidade
Resistente a altas temperaturas
Alta transmissão luminosa
Ataque anti-químico
Temperatura de funcionamento:
Temperatura de funcionamento regular: 1000°C
Temperatura de funcionamento a curto prazo:1100°C
temperatura máxima de funcionamento instantânea:1300°C
Propriedade mecânica:
| Propriedade mecânica | Valor de referência | Propriedade mecânica | Valor de referência |
| Densidade | 2.203 g/cm3 | Índice de refração | 1.45845 |
| Força de compressão | >1100Mpa | Coeficiente de expansão térmica | 5.5×10-7cm/cm.°C |
| Força de dobra | 67Mpa | Temperatura de trabalho a quente | 1750 ~2050°C |
| Resistência à tração | 48.3Mpa | A temperatura por um curto período de tempo | 1300°C |
| Relação de Poisson | 0.14 ~0.17 | A temperatura durante muito tempo | 1100°C |
| Modulo elástico | 71700Mpa | Resistividade | 7×107Ω.cm |
| Modulo de corte | 31000Mpa | Força dielétrica | 250 ~400Kv/cm |
| Dureza das traças | 5.3~6.5(Escala de mariposas) | Constante dielétrica | 3.7~3.9 |
| Ponto de deformação | 1280°C | Coeficiente de absorção dielétrica | < 4×104 |
| Calor específico350°C) | 670J/kg°C | Coeficiente de perda dielétrica | < 1 × 104 |
| Conductividade térmica ((20°C) | 1.4W/m°C | ||
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