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Aparelho de Quartzo Quartzo Fundido Transportador de Bolacha de Semicondutor Ultra Fino
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x| Tamanho | OEM | MOQ | 1pcs |
|---|---|---|---|
| Nome | Carregador de wafer semicondutor | ||
| Destacar | portador da bolacha de semicondutor de quartzo fundido,portador ultra fino da bolacha de semicondutor,portador ultra fino da bolacha de silicone do semicondutor |
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Aparelho de Quartzo Quartzo Fundido Transportador de Bolacha de Semicondutor Ultra Fino
Características dos produtos:
Claro e limpo,
Alta homogeneidade
Resistente a altas temperaturas
Alta transmissão de luz
Anti ataque químico
Temperatura de trabalho:
Temperatura de trabalho regular: 1000°C
Temperatura de trabalho para curto prazo: 1100°C
Temperatura máxima de trabalho instantâneo: 1300°C
Propriedade Mecânica:
| Propriedade Mecânica | Valor de Referência | Propriedade Mecânica | Valor de Referência |
| Densidade | 2.203g/cm3 | Índice de Refração | 1.45845 |
| Resistência à Compressão | >1100Mpa | Coeficiente de expansão térmica | 5.5×10-7cm/cm.°C |
| Resistência à Flexão | 67Mpa | Temperatura de trabalho a quente | 1750~2050°C |
| Resistência à Tração | 48.3Mpa | A temperatura por um curto período de tempo | 1300°C |
| Relação de Poisson | 0.14~0.17 | A temperatura por um longo período de tempo | 1100°C |
| Módulo de Elasticidade | 71700Mpa | Resistividade | 7×107Ω.cm |
| Módulo de Cisalhamento | 31000Mpa | Rigidez Dielétrica | 250~400Kv/cm |
| Dureza Moths | 5.3~6.5(Escala Moths) | Constante Dielétrica | 3.7~3.9 |
| Ponto de Deformação | 1280°C | Coeficiente de absorção dielétrica | <4×104 |
| Calor Específico (20~350°C) | 670J/kg °C | Coeficiente de perda dielétrica | <1×104 |
| Condutividade Térmica (20°C) | 1.4W/m °C | ||
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