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Base terminal dos produtos de quartzo do instrumento de quartzo branco leitoso para o semicondutor
| Lugar de origem | CHINA |
|---|---|
| Marca | ZKTD |
| Certificação | SGS, ISO 9001 |
| Número do modelo | ZKTD |
| Quantidade de ordem mínima | 1 unidade |
| Preço | USD 50-150 Pcs or as negotiated |
| Detalhes da embalagem | Caixa de madeira, algodão pérola, caixa |
| Tempo de entrega | 5-8 dias de trabalho |
| Termos de pagamento | L/C,D/A,D/P,T/T |
| Habilidade da fonte | 100 PCS / DIA |
| Material | Obrigatório | Tolerância | ± 0,1 |
|---|---|---|---|
| Quantidade mínima | 1 unidade | Forma | Personalizado |
| Temperatura quente do trabalho | 1750~2050℃ | ||
| Destacar | produtos brancos leitosos de quartzo,base do telefone dos produtos de quartzo,produtos de quartzo do semicondutor |
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Aparelho de Quartzo Branco Leitoso Produtos de Quartzo Base Terminal Para Semicondutores
Semicondutores: O vidro de quartzo é um material indispensável no processo de produção de materiais e dispositivos semicondutores, como cadinhos para o crescimento de germânio, monocristais de silício, tubos de núcleo de forno e sinos, etc., todos precisam ser usados.
Características do produto:
Claro e limpo,
Alta homogeneidade
Resistente a altas temperaturas
Alta transmissão de luz
Anti ataque químico
Temperatura de trabalho:
Temperatura de trabalho regular: 1000°C
Temperatura de trabalho para curto prazo: 1100°C
Temperatura máxima de trabalho instantânea: 1300°C
Propriedade Mecânica:
| Propriedade Mecânica | Valor de Referência | Propriedade Mecânica | Valor de Referência |
| Densidade | 2.203g/cm3 | Índice de Refração | 1.45845 |
| Resistência à Compressão | >1100Mpa | Coeficiente de expansão térmica | 5.5×10-7cm/cm.°C |
| Resistência à Flexão | 67Mpa | Temperatura de trabalho a quente | 1750~2050°C |
| Resistência à Tração | 48.3Mpa | A temperatura por um curto período de tempo | 1300°C |
| Relação de Poisson | 0.14~0.17 | A temperatura por um longo período de tempo | 1100°C |
| Módulo de Elasticidade | 71700Mpa | Resistividade | 7×107Ω.cm |
| Módulo de Cisalhamento | 31000Mpa | Rigidez Dielétrica | 250~400Kv/cm |
| Dureza de Moths | 5.3~6.5(Escala de Moths) | Constante Dielétrica | 3.7~3.9 |
| Ponto de Deformação | 1280°C | Coeficiente de absorção dielétrica | <4×104 |
| Calor Específico (20~350°C) | 670J/kg °C | Coeficiente de perda dielétrica | <1×104 |
| Condutividade Térmica (20°C) | 1.4W/m °C | ||
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