Base terminal dos produtos de quartzo do instrumento de quartzo branco leitoso para o semicondutor

Lugar de origem CHINA
Marca ZKTD
Certificação SGS, ISO 9001
Número do modelo ZKTD
Quantidade de ordem mínima 1 unidade
Preço USD 50-150 Pcs or as negotiated
Detalhes da embalagem Caixa de madeira, algodão pérola, caixa
Tempo de entrega 5-8 dias de trabalho
Termos de pagamento L/C,D/A,D/P,T/T
Habilidade da fonte 100 PCS / DIA
Detalhes do produto
Material Obrigatório Tolerância ± 0,1
Quantidade mínima 1 unidade Forma Personalizado
Temperatura quente do trabalho 1750~2050℃
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Descrição de produto

Aparelho de Quartzo Branco Leitoso Produtos de Quartzo Base Terminal Para Semicondutores 


Semicondutores: O vidro de quartzo é um material indispensável no processo de produção de materiais e dispositivos semicondutores, como cadinhos para o crescimento de germânio, monocristais de silício, tubos de núcleo de forno e sinos, etc., todos precisam ser usados.


Características do produto:

Claro e limpo,

Alta homogeneidade

Resistente a altas temperaturas

Alta transmissão de luz

Anti ataque químico


Temperatura de trabalho:

Temperatura de trabalho regular: 1000°C

Temperatura de trabalho para curto prazo: 1100°C

Temperatura máxima de trabalho instantânea: 1300°C


Propriedade Mecânica:

Propriedade Mecânica Valor de Referência Propriedade Mecânica Valor de Referência
Densidade 2.203g/cm3 Índice de Refração 1.45845
Resistência à Compressão >1100Mpa Coeficiente de expansão térmica 5.5×10-7cm/cm.°C
Resistência à Flexão 67Mpa Temperatura de trabalho a quente 1750~2050°C
Resistência à Tração 48.3Mpa A temperatura por um curto período de tempo 1300°C
Relação de Poisson 0.14~0.17 A temperatura por um longo período de tempo 1100°C
Módulo de Elasticidade 71700Mpa Resistividade 7×107Ω.cm
Módulo de Cisalhamento 31000Mpa Rigidez Dielétrica 250~400Kv/cm
Dureza de Moths 5.3~6.5(Escala de Moths) Constante Dielétrica 3.7~3.9
Ponto de Deformação 1280°C Coeficiente de absorção dielétrica <4×104
Calor Específico (20~350°C) 670J/kg °C Coeficiente de perda dielétrica <1×104
Condutividade Térmica (20°C) 1.4W/m °C

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