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Substrato de quartzo de alta pureza de 180 × 15 × 5mm com resistência a altas temperaturas
| Material | Sílica fundida de alta pureza (SiO2 > 99,99%) | Dimensões | 180 mm x 15 mm x 5 mm (C x L x T) |
|---|---|---|---|
| Temperatura de operação máxima | 1100ºC | Acabamento de superfície | Precisão retificada e polida |
| Coeficiente de expansão térmica | 5,5 x 10^-7 /°C (CTE ultrabaixo) | Resistência Química | Ácido fluorídrico, ácido forte e álcali |
| Transmitância | > 92% (faixa UV-Visível) | Impureza Metálica | Ultrabaixo, sem precipitação |
| Aplicativo | Revestimento de wafer semicondutor, substrato de filme óptico, dispositivo elétrico de célula fotovo | ||
| Destacar | Substrato de quartzo de alta pureza,substrato de quartzo de 180×15×5 mm,substrato de quartzo resistente a altas temperaturas |
||
Visão geral do produto
OSubstrato de quartzo de sílica fundido de alta purezaé uma placa de vidro de quartzo de moagem de precisão (180 mm x 15 mm x 5 mm) projetada para semicondutores de ponta, revestimentos ópticos, fotovoltaicos e aplicações de laboratório.Fabricados a partir de sílica fundida de qualidade superior (SiO2 > 990,99%), este substrato oferece uma estabilidade térmica excepcional, inércia química e clareza óptica, tornando-o a escolha preferida para ambientes de fabricação de alta precisão exigentes.
Características fundamentais
- Ultra-alta pureza:SiO2 > 99,99% com um teor de impurezas metálicas ultra-baixo.
- Resistência à temperatura de 1100°C:Resiste a temperaturas extremas sem deformação ou degradação, superando de longe as alternativas de vidro borosilicato
- Resistência a HF e à corrosão:Excelente resistência química contra ácido fluorídrico, ácidos fortes e álcalis ideal para processos químicos úmidos agressivos
- Expansão térmica ultra-baixa:CTE de 5,5 x 10^-7 /°C impede rachaduras e deformações sob ciclos de temperatura rápidos
- Alta transmissão:> 92% de transmissão através do espectro UV para o espectro visível, perfeito para aplicações de revestimento óptico e fotolitografia
- Precisão de acabamento da superfície:As superfícies moídas e polidas de precisão garantem a planície e a deposição uniforme do revestimento
Aplicações
| Indústria | Aplicação |
|---|---|
| Semiconductor & Microelectronics | Veículo de embalagem de wafer, substrato de litografia, base de revestimento a alta temperatura, plataforma de ensaio de envelhecimento de componentes eletrónicos |
| Óptica e fotoelétrica | Substrato óptico de revestimento de película fina, base da placa de filtro, dispositivo de revestimento a vácuo, banco de ensaio de espectro |
| Energia fotovoltaica e nova energia | Instalação de revestimento de células solares, difusão a alta temperatura e transportador de processo PECVD, substrato antideformação |
| Laboratório e Química Fina | Plataforma de sinterização a alta temperatura, banco de ensaio de corrosão HF, forte suporte de reação química |
| Instrumento de precisão | Substrato de referência do espectrómetro, placa de banco do equipamento de inspecção óptica |
Vantagens competitivas
versus vidro borosilicato:Resiste a mais de 1100°C vs ~500°C limite; resistência superior ao ácido HF; 10x menor expansão térmica impede rachaduras; impureza de metal ultra-baixa elimina o risco de contaminação do processo
versus cerâmica de alumínio:Alta transparência óptica para aplicações visíveis por UV; acabamento de superfície mais liso para revestimento uniforme; peso mais leve e usinagem de precisão mais fácil
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Materiais | Silício fundido de alta pureza (SiO2 > 99,99%) |
| Dimensões | 180 mm (L) x 15 mm (W) x 5 mm (T) |
| Temperatura máxima de funcionamento | 1100°C |
| TEC | 5.5 x 10^-7 /°C |
| Transmissão | > 92% (UV-Visível) |
| Resistência química | HF, ácido forte e álcali |
| Revestimento de superfície | Moído e polido com precisão |
| Impuridade do metal | Ultra-baixo, sem precipitação |

